一种降低硅片碎片的上料吸片装置
授权
摘要
本实用新型涉及上料吸片装置技术领域，且公开了一种降低硅片碎片的上料吸片装置，包括支架，所述支架的底部固定安装有底板，所述底板上固定安装有托盘，所述托盘的一侧固定安装有边框，所述边框固定安装在两个传送装置的中部，所述传送装置上活动放置有硅片，所述支架的顶部固定安装有顶板，所述顶板的底部固定安装有机械臂。本实用新型通过将以往的四点吸盘改为整体吸盘，加大吸附力度，改进了以往吸盘的吸力不均衡，避免吸盘因吸附力不均衡造成碎片现象，且对风口进行改进，将以往技术方案中的一孔式吹口改为风刀结构，能够将层叠的硅片吹动时，每片硅片分开，使吸盘只吸到一块硅片，操作效果大大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种降低硅片碎片的上料吸片装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921675379.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-09
授权号 ：
CN210272301U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
李伟戴磊王波波吴斌华夏康蓝希旺
申请人 ：
中赣新能源股份有限公司
申请人地址 ：
江西省鹰潭市余江县龙岗工业园区
代理机构 ：
温州名创知识产权代理有限公司
代理人 ：
程嘉炜
优先权 ：
CN201921675379.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
