一种大尺寸晶体生长单晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制备装置领域，更具体而言，涉及一种大尺寸晶体生长单晶炉，包括PBN坩埚、石英管、加热器，其中加热器包括底部加热器和侧壁加热器；通过坩埚底部玻璃棒提供热流失通道；通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部加热器温度调整，控制晶体的引晶及放肩过程。晶体生长引晶阶段通过对螺旋加热器的功率微调整达到控制PBN坩埚内锥形温度梯度的控制，进行引晶并实现晶体放肩。放肩完成后，长体阶段通降低圆锥外围加热器的功率的大幅调整，增大晶体头部的温度梯度，进而实现对热散失途径的控制，实现微凸的晶体生长液面，达到长大直径长尺寸晶体的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸晶体生长单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921656061.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210711819U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
高佑君柴晓磊樊海强
申请人 ：
山西中科晶电信息材料有限公司
申请人地址 ：
山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申绍中
优先权 ：
CN201921656061.8
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/42 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
