一种多晶硅晶体生长炉热场保温装置及多晶硅晶体生长炉
授权
摘要
本实用新型提供一种多晶硅晶体生长炉热场保温装置及多晶硅晶体生长炉。本实用新型一种多晶硅晶体生长炉热场保温装置,包括第一层和第二层;所述第一层包括保温板,所述保温板包括第一开口;所述第二层包括第一隔热门和第二隔热门;所述保温装置还包括热门驱动器,所述热门驱动器用于驱动第一隔热门和第二隔热门打开或闭合,所述第一隔热门和所述第二隔热门打开时,形成与保温板的第一开口对应的第二开口。本实用新型克服目前多晶硅晶体生长炉在生产多晶硅硅锭时,对于定向凝固生长时的温度控制并不精确,达不到技术要求的问题。
基本信息
专利标题 :
一种多晶硅晶体生长炉热场保温装置及多晶硅晶体生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921545329.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-17
授权号 :
CN211339736U
授权日 :
2020-08-25
发明人 :
时刚周龙
申请人 :
西安创联新能源设备有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市电子城电子西街3号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921545329.0
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2020-08-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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