一种高速DFB激光器外延结构
著录事项变更
摘要
本实用新型提供一种高速DFB激光器外延结构，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构在InP过渡层中，插入两组应变的异质结超晶格层，应变的异质结超晶格层兼顾腐蚀截止层的作用；并有利于二次外延生长时及InP原子的迁移，能提高光栅掩埋层的材料质量，提高DFB激光器的性能；该DFB激光器外延结构无腐蚀截止层，激光器电阻低，阈值低，无低频滚降现象，能提高高温带宽，使激光器能工作在‑40~85℃的宽的温度范围。
基本信息
专利标题 ：
一种高速DFB激光器外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921537387.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210379766U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
单智发张永姜伟陈阳华
申请人 ：
全磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区同龙二路567号1-3层
代理机构 ：
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘计成
优先权 ：
CN201921537387.9
主分类号 ：
H01S5/12
IPC分类号 ：
H01S5/12 H01S5/22 H01S5/343
法律状态
2022-02-25 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01S 5/12
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华
变更后 : 单智发 张永 陈阳华
变更事项 : 发明人
变更前 : 单智发 张永 姜伟 陈阳华
变更后 : 单智发 张永 陈阳华
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
