存储器
授权
摘要
本实用新型提供了一种存储器及其形成方法。本实用新型提供的存储器中，形成在字线沟槽中的介质材料层具有上层部和下层部，并且在沟槽隔离结构中和在有源区中，介质材料层的上层部的厚度均大于下层部的厚度。如此，即能够改善字线和有源区之间的漏电流现象，包括：降低了位于沟槽隔离结构中的字线和有源区之间的漏电流，以及能够在维持存储晶体管的性能的基础上，改善栅极感应漏电流(GIDL)现象。
基本信息
专利标题 ：
存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921463016.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210296374U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
张钦福林昭维朱家仪郑仁杰吴仁国赖惠先
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921463016.0
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242 H01L23/532 H01L23/528
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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