刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备
授权
摘要
该实用新型涉及一种刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备，其中所述刻蚀辅助装置用于辅助晶圆刻蚀，包括：隔片，用于设置到聚焦环所围的区域内，使所述聚焦环内放置的晶圆与所述聚焦环之间的距离大于一预设值。本实用新型的刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备能够隔开聚焦环和晶圆，使聚焦环和晶圆之间大于预设值，不会影响所述晶圆的边缘部分的温度分布，能够有效提高晶圆边缘部分的均匀性，提高晶圆生产的良率。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀辅助装置、晶圆刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921448164.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN210272277U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921448164.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210272277U.PDF
PDF下载
