一种单晶炉用可变径导流筒
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶炉用可变径导流筒,包括热屏外胆、热屏内胆和保温材料,热屏外胆包括一体设置的上热屏和下热屏;下热屏的底端设有搭接台;搭接台的最小内径大于待拉制的最大晶体尺寸;热屏内胆包括碳碳上环和石墨环;碳碳上环为倒锥形圆台,其长度不小于上热屏的竖向长度;石墨环包括从上至下依次一体设置的空心的倒锥形圆台一和空心的倒锥形圆台二;倒锥形圆台一顶端与碳碳上环底端相贴合接触或卡接;倒锥形圆台二底部设置有搭接部,搭接放置在下热屏的搭接台上。本申请只需根据待拉制晶体尺寸的大小,直接更换对应规格的石墨环即可,从而使得一套导流筒适应多种规格型号的晶体尺寸拉制,节省成本,且不会改变拉制工艺,拉制晶体的质量一致性好。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉用可变径导流筒
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921411785.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-28
授权号 :
CN210657216U
授权日 :
2020-06-02
发明人 :
孟涛王海庆姚亮
申请人 :
包头美科硅能源有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
石艳红
优先权 :
CN201921411785.6
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2020-06-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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