一种反激式拓扑副边同步整流电路
授权
摘要

本实用新型提供一种反激式拓扑副边同步整流电路,包括整流电路和滤波电路;所述的整流电路包括整流MOS管Q1;所述的整流MOS管Q1设置在变压器TIA副边绕组的异相端,整流MOS管Q1的S、D极分别与变压器副边绕组的低端SD和副边同步整流电路输出VIS地相连。本实用新型中,采用导通电阻极低的MOS管来代替整流二极管,大大降低了输出损耗,效率得到提升。

基本信息
专利标题 :
一种反激式拓扑副边同步整流电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921358163.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-21
授权号 :
CN210444190U
授权日 :
2020-05-01
发明人 :
王新华蒋中为
申请人 :
深圳市金威源科技股份有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山新区大工业区聚龙山片区金威源工业厂区A栋1层
代理机构 :
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
金辉
优先权 :
CN201921358163.1
主分类号 :
H02M7/217
IPC分类号 :
H02M7/217  
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法律状态
2020-05-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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