一种QFN封装用加热治具

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型公开了一种QFN封装用加热治具，包括轨道板、上压板、下支板、气缸、缓冲机构、铝基板、加热管、定位机构、上导热板、下导热板，加热管工作对铝基板加热，当QFN芯片框架进入上导热板和导热板之间后，气缸推动活塞沿套管上移，第一弹簧压缩变形推动铝基板上移，从而在上导热板和导热板的配合下将QFN芯片框架压紧，实现热压；随后，气缸带动活塞下移到位，第二弹簧变形顶压定位钢球与定位槽重合，实现自动对心定位。该装置结果简单，能对QFN芯片框架进行压紧加热，有效提高加热效果。

基本信息

专利标题：

一种QFN封装用加热治具

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921162744.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-23

授权号：

CN210136846U

授权日：

2020-03-10

发明人：

彭勇谢兵赵从寿韩彦召王钊周根强金郡唐振宁倪权张振林

申请人：

池州华宇电子科技有限公司

申请人地址：

安徽省池州市经济技术开发区电子信息产业园10号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201921162744.8

主分类号：

H01L21/60

IPC分类号：

H01L21/60 H01L21/67

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

H01L21/60

引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流

法律状态

2021-03-02 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/60
变更事项 : 专利权人
变更前 : 池州华宇电子科技有限公司
变更后 : 池州华宇电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 247100 安徽省池州市经济技术开发区电子信息产业园10号
变更后 : 247100 安徽省池州市经济技术开发区电子信息产业园10号

2020-03-10 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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