一种陶瓷环和半导体刻蚀设备
授权
摘要
本申请公开了一种陶瓷环和半导体刻蚀设备，包括陶瓷环本体以及设置于陶瓷环主体的内圈上的压片结构，压片结构包括与芯片的上表面接触的接触表面，以实现芯片的周向固定，可有效解决在反溅射时因芯片翘曲变形引起的反溅射均匀性较差以及芯片背面烧黑的问题，有利于提高反溅射效果。
基本信息
专利标题 ：
一种陶瓷环和半导体刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921162446.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN210223993U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
曹永辉都二华
申请人 ：
杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN201921162446.9
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L21/67 C23C14/34 C23C14/50
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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