一种可控硅中频透热设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种可控硅中频透热设备，包括可控硅电源本体和中频发射箱，所述可控硅电源本体的一侧设置有中频发射箱，所述可控硅电源本体与中频发射箱通过线缆进行电性连接，所述中频发射箱的一端固定有线圈，所述可控硅电源本体一侧壁固定有导轨，所述导轨的侧表面开设有第二导槽，所述第二导槽的内侧滑动连接有第二滑块；通过设置有钢丝绳、安装块、导轨、第二锁紧螺杆、导向件、连接头、固定块、调节螺杆及压紧头，避免操可控硅电源本体与中频发射箱之间的距离增大造成线缆的损坏，通过设置有导块、防护杆、第一滑块、第一滑槽及防护网板，便于对中频发射箱一侧的线圈进行防护，避免有重物下落对线圈造成撞击损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅中频透热设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921135661.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-18
授权号 ：
CN210247092U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
唐书超
申请人 ：
襄阳利能电力电子有限公司
申请人地址 ：
湖北省襄阳市襄城区庞公路12号王家洼村
代理机构 ：
贵阳索易时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吕景新
优先权 ：
CN201921135661.X
主分类号 ：
H05B6/14
IPC分类号 ：
H05B6/14 H05B6/36 C21D1/42
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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