量子点发光二极管
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种量子点发光二极管，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本实用新型实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
量子点发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921091313.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-12
授权号 ：
CN209912898U
授权日 ：
2020-01-07
发明人 ：
王恺孙小卫郑凡凯李晨昊刘皓宸
申请人 ：
南方科技大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201921091313.7
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2020-01-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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