一种垂直腔面发射激光器及其密集型阵列结构
授权
摘要
一种垂直腔面发射激光器及其密集型阵列结构，包括隔离层：其包括圆形部分和从圆形部分的圆周向外延伸的一个或多个延伸部分；P‑型金属层：其包括一个或多个分离的不规则形状部分，不规则形状部分由近似矩形的外侧部分和近似梯形的内侧部分组成，隔离层的延伸部分完全或部分覆盖P‑型金属层；一个或多个电介质通孔开口：其分别位于P‑型金属层的一个或多个不规则形状部分之上；多个氧化槽：多个氧化槽沿隔离层的圆形部分的圆周外间隔排布且于隔离层的延伸部分两侧，相邻两延伸部分之间分布有至少一个氧化槽。本实用新型在缩小VCSEL芯片尺寸的同时不影响VCSEL芯片性能，并提升现有垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的密集程度。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直腔面发射激光器及其密集型阵列结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921038909.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN209948329U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
李明欣杨旭张岩松
申请人 ：
武汉仟目激光有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市中国(湖北)自贸区武汉片区光谷大道3号激光工程设计总部二期研发楼6栋6单元13层06室
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴静
优先权 ：
CN201921038909.0
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/42
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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