一种引线框架的蚀刻设备
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摘要
本实用新型涉及引线框架加工技术领域，公开了一种引线框架的蚀刻设备，包括无盖的蚀刻箱，蚀刻箱内横向间隔设有蚀刻室、漂洗室，蚀刻箱上方横向设有螺纹轴，蚀刻室、漂洗室所对螺纹轴的导程为整数，且蚀刻室与漂洗室相邻距离、蚀刻箱的壁厚远小于螺纹轴的导程，螺纹轴上套设有与其螺纹传动配合的环形传动体，环形传动体上固定设有可沿环形面转动的弹性夹板，蚀刻箱的一侧设有带动螺纹轴转动的动力机构，蚀刻箱的一侧设有与动力机构连接的供电箱。本实用新型一方面解决了现有蚀刻设备蚀刻和清洗工作分开进行，增加了蚀刻工艺的复杂性，降低了引线框架的生产效率，另一方面解决了原工件浸入蚀刻液时，原工件蚀刻成型情况不易观察的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种引线框架的蚀刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920961007.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN209843664U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
刘帅帅王一朝
申请人 ：
天水迈格智能设备有限公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市天水经济技术开发区社棠工业园区产业孵化园9号标准厂房一屋
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵宇
优先权 ：
CN201920961007.8
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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