单颗可变色阵列型VCSEL芯片
授权
摘要
本实用新型公开了单颗可变色阵列型VCSEL芯片，VCSEL芯片包括量子阱、第一过渡层和第二过渡层；第一过渡层上设置有第一GaAs柱，第一GaAs柱上独立生长有ODR层，ODR层被蚀刻形成第一台柱，第一台柱蒸镀有镜面层，三个第一台柱的镜面层上覆盖有同一外延片键合层，且外延片键合层覆盖镜面层外侧直至第一过渡层，外延片键合层上设置有Si片、P‑contact；第二过渡层上设置有三个独立的第二GaAs柱，第二GaAs柱上生长有DBR层，DBR层被蚀刻形成第二台柱，第二台柱蒸镀有N‑contact，N‑contact在第二台柱的顶面设有出光孔。本实用新型的VCSEL芯片采用“过渡层+MQW+过渡层”结构提高了载流子密度，使VCSEL受激发时功率效率提高，使用ITO层使电流扩展更加均匀，减少了横模的产生。
基本信息
专利标题 ：
单颗可变色阵列型VCSEL芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920931229.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-18
授权号 ：
CN210404336U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
窦志珍曹广亮刘留苏小平
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
李欧
优先权 ：
CN201920931229.5
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/343
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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