一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管，属于半导体，本实用新型要解决的技术问题为如何能够为充分发挥硅芯片的最高工作结温以及提高器件的可靠性，同时降低成本，采用的技术方案为：其结构包括引线框架和塑封体，所述引线框架上设置有对应塑封体的芯片焊接位，芯片焊接位内设置有二极管芯片单元，二极管芯片单元的外侧设置有全包封玻璃钝化层；二极管芯片单元的一面固定焊接在引线框架的芯片焊接位内，另一面连接有跳片且跳片延伸出全包封玻璃钝化层；二极管芯片单元包括至少一个二极管芯片，二极管芯片的两侧对称设置有钼片，两钼片分别通过焊片与位于二极管芯片两侧的芯片焊接位和跳片焊接连接。
基本信息
专利标题 ：
一种高反压、大电流超高温烧结全包封玻璃钝化二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920739922.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN209766433U
授权日 ：
2019-12-10
发明人 ：
董珂
申请人 ：
济南固锝电子器件有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新开发区孙村片区科远路1659号
代理机构 ：
济南信达专利事务所有限公司
代理人 ：
罗文曌
优先权 ：
CN201920739922.2
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L23/31 H01L23/495
法律状态
2019-12-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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