一种多室砷化镓单晶生长炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种多室砷化镓单晶生长炉，包括支撑杆，所述支撑杆上表面安装有承载板，所述承载板底面设置有若干顶部安装筒，所述顶部安装筒以所述支撑杆的轴线为中心圆周阵列布置，所述顶部安装筒下端安装有加热炉，所述加热炉形成从上至下温度逐渐变低的温度梯度，所述加热炉与所述顶部安装筒同轴且相连通，所述承载板表面通过密封轴承安装有若干丝杠，所述承载板上表面设置有驱动组件。有益效果在于：通过对多个炉体内的螺纹管套进行同时驱动，使螺纹管套带动石英管进行同步移动，实现单晶的同步生长，提高单晶制备效率；螺纹管套在丝杠的驱动作用下，能够穿出连接管，不需要对螺纹管套进行拆除，即可实现石英管的拆装。
基本信息
专利标题 ：
一种多室砷化镓单晶生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920731350.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN210215618U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
代晓波
申请人 ：
独山中科晶元信息材料有限公司
申请人地址 ：
贵州省黔南布依族苗族自治州独山县麻万镇麻抹组独山中科晶元
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
谈杰
优先权 ：
CN201920731350.3
主分类号 ：
C30B29/42
IPC分类号 ：
C30B29/42 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
C30B29/42
砷化镓
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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