同时模式双波段碲镉汞探测器
授权
摘要
本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
基本信息
专利标题 ：
同时模式双波段碲镉汞探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920708752.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-17
授权号 ：
CN209929317U
授权日 ：
2020-01-10
发明人 ：
叶振华刘棱枫崔爱梁张伟婷丁瑞军何力
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201920708752.1
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0296 H01L31/0352 H01L31/101 H01L31/11
法律状态
2020-01-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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