一种阻隔型真空镀膜管件
授权
摘要
本实用新型公开了一种阻隔型真空镀膜管件，包括塑料管，所述塑料管的管壁内侧沉积有SiO薄膜，SiO薄膜外侧沉积有SiO2薄膜；管壁外侧由内至外依次沉积有SiO薄膜、SiO2薄膜和氮化硅薄膜。本实用新型采用真空镀膜(PECVD、PVD)方法在PET、PEN等塑料管内壁和外壁进行低速SiO和高速SiO2薄膜沉积，使得塑料管表面微观孔隙被填充，水蒸气分子、氧气分子和二氧化碳分子不易渗透到管内壁而影响样本的测试准确性；另外，本实用新型利用低速SiO和高速SiO2结合的模式，提升阻隔膜的致密性同时延长了渗透距离，同时利用氮化硅对外壁表面的SiO2进行改性，亲水改为了疏水，避免了水渍、脏污的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种阻隔型真空镀膜管件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920588455.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-27
授权号 ：
CN209854235U
授权日 ：
2019-12-27
发明人 ：
孙建军
申请人 ：
孙建军
申请人地址 ：
河北省唐山市遵化市西留村乡五里屯村华太道27排1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920588455.8
主分类号 ：
C23C14/10
IPC分类号 ：
C23C14/10 C23C16/40 C23C14/06 C23C16/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/10
玻璃或二氧化硅
法律状态
2019-12-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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