具有立体电感的半导体结构
授权
摘要
一种具有立体电感的半导体结构具有第一横向电感、纵向电感及第二横向电感，该第一横向电感形成于第一基板，该第二横向电感及该纵向电感形成于第二基板，接合该第一基板及该第二基板以连接该第一横向电感及该纵向电感，使该第一横向电感、该纵向电感及该第二横向电感构成立体电感。
基本信息
专利标题 ：
具有立体电感的半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920586926.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-26
授权号 ：
CN209804650U
授权日 ：
2019-12-17
发明人 ：
施政宏杨念慈陈奕丞杨尚展
申请人 ：
颀邦科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市东区力行五路3号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN201920586926.1
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L27/08 H01L25/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2019-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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