LVDS接口抗干扰电路
授权
摘要
本实用新型的LVDS接口抗干扰电路，通过设置嵌置单元、静电释放单元及共模单元。在实际的应用过程中，外部MCU通过I/O端口向嵌置单元的第一输入端和第二输入端输入信号，若信号的电压大于预设阈值时，二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4会对信号的电压起到嵌置的作用，防止过高的电压输入通过共模单元中，损坏共模单元；电阻R1和电阻R2均起到阻抗匹配的作用，消除或者减少信号反射的问题；静电二极管TVS起到静电释放的作用，防止嵌置单元内静电积蓄过多而无法正常工作；再者，共模单元起到提高电磁干扰的作用，改善LVDS接口抗干扰电路的电磁兼容性，以此提高了LVDS接口的抗干扰能力。
基本信息
专利标题 ：
LVDS接口抗干扰电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920584575.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-25
授权号 ：
CN209690906U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
林志坚王海曾新勇陈重辉曾宪敏
申请人 ：
康惠(惠州)半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区仲恺大道252号航天科技工业园八栋
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘羽
优先权 ：
CN201920584575.0
主分类号 ：
G06F13/40
IPC分类号 ：
G06F13/40
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F13/00
信息或其他信号在存储器、输入/输出设备或者中央处理机之间的互连或传送
G06F13/38
信息传送，例如，在总线上进行的
G06F13/40
总线结构
法律状态
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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