一种穿通型中低压平面TVS芯片
授权
摘要
本实用新型公开一种穿通型中低压平面TVS芯片，包括设置在P‑型硅片正反两面的N+扩散区和P+扩散区，P‑型硅片、N+扩散区和P+扩散区周围环绕设置N‑穿通隔离区，N‑穿通隔离区内侧和P+扩散区交接处设置二氧化硅钝化层，P+扩散区外表面设置阳极电极，N+扩散区表面设置阴极电极。制备方法，1）氧化；2）光刻穿通环；3）磷穿通扩散；4）正面刻窗口；5）硼扩散；6）去除背面氧化层；7）磷扩散；8）光刻引线；9）表面金属化；10）正面光刻反刻；11）真空合金；芯片测试；砂轮划片分离；芯片整理。利用耐压较高的穿通环保护内部耐压较低的PN结，防止焊锡膏溢至侧壁导致芯片短路、提高封装良率。
基本信息
专利标题 ：
一种穿通型中低压平面TVS芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920465189.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-09
授权号 ：
CN209526088U
授权日 ：
2019-10-22
发明人 ：
朱明张超王成森
申请人 ：
捷捷半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼2159室
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢海洋
优先权 ：
CN201920465189.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2019-10-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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