晶圆表面金属合金化处理方法
授权
摘要
本发明提供一种晶圆表面金属合金化处理方法，在晶圆表面形成金属层后进行第一次合金化退火处理，在形成钝化层后进行第二次合金化退火处理。与现有技术相比，本发明通过在金属层形成后增加一次合金化退火处理，改善晶圆上各器件的阈值电压的分布情况，使晶圆上各器件的阈值电压分布在较小的范围内，分布更加集中，有利于使更多器件的阈值电压落在标准范围内，减少了因阈值电压不符合电性参数标准而导致的器件不合格，从而提升了产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
晶圆表面金属合金化处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128873A
申请号 ：
CN201911398469.4
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111128873B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
宁润涛黄康荣孟令成黄伟
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市中新广州知识城九佛建设路333号自编701室（自主申报）
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201911398469.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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