本发明公开一种半导体台面及蚀刻方法，其中方法包括如下步骤：先分别对待蚀刻层、底层进行不同掺杂类型、不同浓度的掺杂，随后通过涂布、黄光微影第一光阻层。以第一光阻层为掩膜，蚀刻待蚀刻层，并去除第一光阻层。沉积氮化物层，经蚀刻半导体衬底上表面，保留凸台侧壁的氮化物层，涂布第二光阻层，通过经黄光微影保留凸台处上的第二光阻层。最后采用湿蚀刻对剩余的待蚀刻层进行蚀刻去除，干蚀刻和湿蚀刻的相互配合避免直接干蚀刻损伤晶圆而导致的漏电，以及有效避免湿蚀刻形成的斜角凸台，从而减小层间电容。