等离子体腔室的传输线RF施加器
授权
摘要
一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔，所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
基本信息
专利标题 ：
等离子体腔室的传输线RF施加器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111010795A
申请号 ：
CN201911183526.7
公开（公告）日 ：
2020-04-14
申请日 ：
2012-06-21
授权号 ：
CN111010795B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
J·库德拉T·塔纳卡C·A·索伦森S·安瓦尔J·M·怀特R·I·欣德S-M·赵D·D·特鲁翁
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201911183526.7
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46 H01J37/32
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-05-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05H 1/46
申请日 : 20120621
申请日 : 20120621
2020-04-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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