一种晶圆级MoS2单层薄膜的制备方...
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摘要
本发明公开了一种晶圆级MoS2单层薄膜的制备方法，包括S1在衬底上依次生长缓冲层及GaN外延层；S2在GaN外延层上生长厚度均匀的MoS2层薄膜外延；S3在MoS2层上敷满PMMA苯甲醚溶液，匀胶后加热固化，得到PMMA层；S4在PMMA层上沉积保护层，得到晶圆片；S5将晶圆片置于腐蚀液中，直至晶圆片外圈充满气泡；S6剥离及清洗后，退火改善MoS2与GaN层界面质量，完成晶圆级MoS2单层薄膜的制备。本发明成功制备晶圆级MoS2单层薄膜，与传统的CMOS工艺相兼容，在制备过程中无复杂操作和其他有害副产物产生，同时运用该工艺重现性和可控性良好，推动了未来二维材料与器件在集成领域的发展。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆级MoS2单层薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110767533A
申请号 ：
CN201911018812.8
公开（公告）日 ：
2020-02-07
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN110767533B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李国强唐鑫王文樑胡智凯
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
王东东
优先权 ：
CN201911018812.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-03-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20191024
申请日 : 20191024
2020-02-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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