一种钙钛矿LED器件结构及其制备方法

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摘要

本发明提供了一种钙钛矿LED器件结构及其制备方法，涉及半导体发光器件技术领域。钙钛矿LED器件结构的制备方法包括：在衬底上的阳极电极上依次沉积空穴注入层以及空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积钙钛矿发光层，其中，所述钙钛矿发光层包括卤化铅、卤化铯、卤化胺中的至少两种材料；在所述钙钛矿发光层上依次沉积电子传输层和阴极电极。钙钛矿LED器件结构及其制备方法能够适应需求调整钙钛矿材料的发光峰以及发光颜色。

基本信息

专利标题：

一种钙钛矿LED器件结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110416439A

申请号：

CN201910716601.5

公开（公告）日：

2019-11-05

申请日：

2019-08-05

授权号：

CN110416439B

授权日：

2022-04-08

发明人：

王建太龚政陈志涛龚岩芬

申请人：

广东省半导体产业技术研究院

申请人地址：

广东省广州市天河区长兴路363号

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

孔鹏

优先权：

CN201910716601.5

主分类号：

H01L51/56

IPC分类号：

H01L51/56 H01L51/50 H01L51/54