一种LED外延层生长方法

授权

摘要

本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温成核层GaN、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N₂和H₂混合气氛低温AlInGaN：Zn层、生长H₂气氛中温InGaN：Si层、生长N₂气氛高温GaN：Mg层、NH₃裂解、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。本发明方法通过引入N₂和H₂混合气氛低温AlInGaN：Zn层、H₂气氛中温InGaN：Si层、N₂气氛高温GaN：Mg层的结构和NH₃裂解工艺以提升量子阱发光区的电子空穴对，增强发光辐射效率，提高LED的发光效率，并减少外延片翘曲，改善外延片外观。

基本信息

专利标题：

一种LED外延层生长方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110350056A

申请号：

CN201910677410.2

公开（公告）日：

2019-10-18

申请日：

2019-07-25

授权号：

CN110350056B

授权日：

2022-04-22

发明人：

徐平胡耀武龚彬彬谢鹏杰

申请人：

湘能华磊光电股份有限公司

申请人地址：

湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

周晓艳

优先权：

CN201910677410.2

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L33/02 H01L33/10 H01L33/22 H01L21/02 H01L21/67

法律状态

2022-04-22 ：

授权

2019-11-12 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20190725

2019-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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