一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法，在化学气相沉积设备中，通过热氧化生长的方式，在特定氧含量的环境下，自氮化镓薄膜上表面向氮化镓薄膜下表面生长氮掺杂的氧化镓薄膜。该制备方法工艺简单，可控性好，重复率高，氧化镓薄膜粗糙度低且生长迅速。
基本信息
专利标题 ：
一种氮掺杂氧化镓薄膜结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110350028A
申请号 ：
CN201910588142.7
公开（公告）日 ：
2019-10-18
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN110350028B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
方志来蒋卓汛闫春辉吴征远张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李明
优先权 ：
CN201910588142.7
主分类号 ：
H01L29/12
IPC分类号 ：
H01L29/12 H01L29/20 H01L29/207 H01L21/336
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/12
申请日 : 20190702
申请日 : 20190702
2019-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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