SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器
授权
摘要
本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元，包括：用于提供自旋轨道矩的重金属线、两个MTJ及其各自连接的二极管、双向选通器以及一个晶体管，所述重金属线的两端各自连接至一条位线，两个所述MTJ均位于所述重金属线的上表面，所述MTJ的自由层靠近所述重金属线而固定层远离所述重金属线，两个所述MTJ通过各自连接的二极管连接至所述晶体管的漏极，两个所述二极管的连接方向相反；所述双向选通器的一端与所述重金属线连接，连接点位于所述重金属线的两个所述MTJ之间的位置，所述双向选通器的另一端与所述晶体管的漏极连接；所述晶体管的栅极与字线连接，所述晶体管的源极与源线连接。本发明能够减小存储单元的面积，提高存储密度。
基本信息
专利标题 ：
SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111739570A
申请号 ：
CN201910228164.2
公开（公告）日 ：
2020-10-02
申请日 ：
2019-03-25
授权号 ：
CN111739570B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
殷标孟皓
申请人 ：
中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
代理机构 ：
北京兰亭信通知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵永刚
优先权 ：
CN201910228164.2
主分类号 ：
G11C14/00
IPC分类号 ：
G11C14/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C14/00
按照当电源掉电时用于后备的具有易失及非易失存储特性的单元装置的特征区分的数字存储器
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 14/00
申请日 : 20190325
申请日 : 20190325
2020-10-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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