竖直构造的温度感测电阻器及其制造方法
授权
摘要
本申请涉及竖直构造的温度感测电阻器及其制造方法。公开一种提供竖直构造的温度感测电阻器(100)的方法和装置。示例装置包括半导体衬底(101)，其包括第一掺杂区(102)、第二掺杂区(104)、以及在第一掺杂区(102)和第二掺杂区(104)之间的第三掺杂区(106)，第三掺杂区(106)包括温度敏感的半导体材料；第一接触件(110)，其耦接到第一掺杂区(102)；与第一接触件(102)相对的第二接触件，其耦接到第二掺杂区(104)；以及隔离沟槽(108)，其界定第三掺杂区(106)。
基本信息
专利标题 ：
竖直构造的温度感测电阻器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109786055A
申请号 ：
CN201811343564.X
公开（公告）日 ：
2019-05-21
申请日 ：
2018-11-13
授权号 ：
CN109786055B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
G·K·塞斯特拉A·斯特拉坎
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN201811343564.X
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01C17/00 G01K7/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-09-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01C 7/00
申请日 : 20181113
申请日 : 20181113
2019-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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