薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

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摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，为解决顶栅结构的薄膜晶体管存在的短沟道效应的问题而发明。该薄膜晶体管，包括衬底基板、覆盖于衬底基板上的有源层、覆盖于有源层上的栅绝缘层以及覆盖于栅绝缘层上的栅极，有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧、且均与沟道区相连接的导体化区，衬底基板上设有放置部，放置部用于放置沟道区，以使沟道区与位于沟道区两侧的导体化区之间具有高度差。本发明可用于液晶显示面板、OLED显示面板中。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109300990A

申请号：

CN201811150939.0

公开（公告）日：

2019-02-01

申请日：

2018-09-29

授权号：

CN109300990B

授权日：

2022-04-22

发明人：

黄勇潮程磊磊成军刘军张扬王庆贺王东方闫梁臣

申请人：

合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市新站区工业园内

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司

代理人：

申健

优先权：

CN201811150939.0

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L29/06 H01L29/10 H01L21/336 H01L27/12