改进的三维纵向存储器
授权
摘要
在共享型三维纵向存储器（3D‑MV）(20)中，每条水平地址线(8a)含有至少第一低掺杂区域(9a)和第二低电阻区域(7a)。低掺杂区域(9a)环绕至少部分存储井(2a,2b…)、并被多个低漏电存储元(1aa,1ab…)共享。低电阻区域(7a)形成一导电网络，以降低水平地址线(8a)的电阻。
基本信息
专利标题 ：
改进的三维纵向存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534519A
申请号 ：
CN201811117502.7
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2018-09-20
授权号 ：
CN110534519B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
张国飙
申请人 ：
杭州海存信息技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市5288信箱
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201811117502.7
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L27/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/112
申请日 : 20180920
申请日 : 20180920
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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