太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉
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摘要

本发明涉及一种太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉。其中,太阳能电池的烧结方法包括:对硅片正表面进行第一次升温处理;对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理;对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理;对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理,以形成太阳能电池;其中第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于第二次升温处理中硅片正表面的升温速率。上述太阳能电池的烧结方法,使硅片表面钝化层内已经形成一定分布的氢离子浓度形成再分布,而再分布的氢离子可以有效的钝化硅片内部的缺陷杂质,从而起到很好的抑制光致衰减的作用。

基本信息
专利标题 :
太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110459469A
申请号 :
CN201811112644.4
公开(公告)日 :
2019-11-15
申请日 :
2018-09-25
授权号 :
CN110459469B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
张一波盛健王伟叶权华
申请人 :
协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司
申请人地址 :
上海市奉贤区南桥镇江海经济园区
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
唐清凯
优先权 :
CN201811112644.4
主分类号 :
H01L21/324
IPC分类号 :
H01L21/324  H01L31/18  H01L31/068  
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理,例如退火、烧结
法律状态
2022-05-27 :
授权
2019-12-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/324
申请日 : 20180925
2019-11-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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