一种静态随机存储器SRAM单元以及相关装置
授权
摘要
一种静态随机存储器SRAM单元以及相关装置，以降低访问SRAM存储器时SRAM的功耗。所述SRAM单元位于SRAM存储器中，SRAM存储器包括由多个所述SRAM单元构成的SRAM存储阵列，所述SRAM单元包括：存储电路，分别与写入电路和读出电路连接，用于存储数据；写入电路，用于向存储电路中写入数据；读出电路，用于在读使能信号有效后使得SRAM单元连接的读位线上的数据为存储电路中存储的数据，其中，当SRAM单元所在的列中存储第一数据的SRAM单元的第一个数大于存储第二数据的SRAM单元的第二个数时，读位线被预充电到高电平；当第一个数小于第二个数时，读位线被预放电到低电平。
基本信息
专利标题 ：
一种静态随机存储器SRAM单元以及相关装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110875071A
申请号 ：
CN201811014610.1
公开（公告）日 ：
2020-03-10
申请日 ：
2018-08-31
授权号 ：
CN110875071B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
许晗乔飞郑淼
申请人 ：
华为技术有限公司;清华大学
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯艳莲
优先权 ：
CN201811014610.1
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C11/419
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/412
申请日 : 20180831
申请日 : 20180831
2020-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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