基板处理方法及基板处理装置
授权
摘要
通过将疏水剂的液体供给至基板(W)的表面而形成覆盖基板(W)的整个表面的疏水剂的液膜。之后，一面维持基板(W)的整个表面由疏水剂的液膜覆盖着的状态一面使基板(W)上的疏水剂的液量减少。之后，在基板(W)上的疏水剂的液量已减少的状态下，将第1有机溶剂的液体供给至由疏水剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第1有机溶剂的液体来置换基板(W)上的疏水剂的液体。之后，使基板(W)干燥。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109545702A
申请号 ：
CN201810993368.0
公开（公告）日 ：
2019-03-29
申请日 ：
2018-08-29
授权号 ：
CN109545702B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
田中孝佳大跡明
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上4丁目天神北町1番地之1
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
马爽
优先权 ：
CN201810993368.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180829
申请日 : 20180829
2019-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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