光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法
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摘要
一种光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法,优化光学邻近校正模型的包括:获取测试图形的标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点;获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间;根据待优化区间的标准空间像光强函数、以及相邻位置区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型;基于各个位置区间的光学邻近校正模型对测试图形进行模拟曝光,获得模拟曝光图形;对测试图形进行实际曝光,获得实际曝光图形;获取模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差;若位置偏差在阈值范围外,调整光学邻近校正模型至模拟曝光图形与实际曝光图形的位置偏差在阈值范围内。提高了光学邻近校正模型的精度。
基本信息
专利标题 :
光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110221513A
申请号 :
CN201810175079.X
公开(公告)日 :
2019-09-10
申请日 :
2018-03-02
授权号 :
CN110221513B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
杜杳隽沈泫
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
薛异荣
优先权 :
CN201810175079.X
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-05-13 :
授权
2019-10-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20180302
申请日 : 20180302
2019-09-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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