一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统
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摘要
一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统，该生长模拟方法利用本发明提供的系统，采用相场理论，通过引入分子方向场的计算，能够高效地生成具有任意对称性与不同程度对称破缺外观的晶体，并能实现在任意弯曲表面与三维情形下的晶体生长。本方法同时提供了灵活的对晶体生长的艺术控制手段。本发明具有较强的实用性，能够为结晶的生长模拟提供多样化而高效的解决方案。
基本信息
专利标题 ：
一种利用相场理论进行二维与三维晶体生长模拟的方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108416838A
申请号 ：
CN201810173416.1
公开（公告）日 ：
2018-08-17
申请日 ：
2018-03-02
授权号 ：
CN108416838B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
任博黄家辉胡事民
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市南开区卫津路94号
代理机构 ：
天津耀达律师事务所
代理人 ：
张耀
优先权 ：
CN201810173416.1
主分类号 ：
G06T17/00
IPC分类号 ：
G06T17/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T17/00
用于计算机制图的3D建模
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2018-09-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 17/00
申请日 : 20180302
申请日 : 20180302
2018-08-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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