半导体存储器装置及其操作方法
授权
摘要
公开了一种半导体存储器装置及其操作方法。该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括被编程为多个编程状态的多个存储器单元；外围电路，其被配置为对存储器单元阵列执行编程操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路将所述多个编程状态划分成两个或更多个编程组并且在编程操作期间依次对所述两个或更多个编程组进行编程，其中，控制逻辑控制外围电路对所述多个存储器单元当中的要被编程为包括在同一编程组中的编程状态的存储器单元同时进行编程。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109243508A
申请号 ：
CN201810145077.6
公开（公告）日 ：
2019-01-18
申请日 ：
2018-02-12
授权号 ：
CN109243508B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李熙烈
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
李辉
优先权 ：
CN201810145077.6
主分类号 ：
G11C7/12
IPC分类号 ：
G11C7/12 G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/12
位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-02-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/12
申请日 : 20180212
申请日 : 20180212
2019-01-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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