多井硒器件及其制造方法

授权

摘要

提供了一种场成形多井探测器及其制造方法。通过在衬底上沉积像素电极、沉积第一介电层、在第一介电层上沉积第一导电栅极层、在第一导电栅极层上沉积第二介电层，在第二电介质层上沉积第二导电栅极层、在第二导电栅层上沉积第三电介质层、在第三电介质层上沉积蚀刻掩模来配置该探测器。通过蚀刻第三介电层、第二导电栅极层、第二介电层、第一导电栅极层和第一介电层来形成两个柱。通过蚀刻到像素电极而不蚀刻像素电极来形成两个柱之间的井，并且用a‑Se填充井。

基本信息

专利标题：

多井硒器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108780823A

申请号：

CN201780015785.1

公开（公告）日：

2018-11-09

申请日：

2017-01-09

授权号：

CN108780823B

授权日：

2022-04-19

发明人：

阿米尔侯赛因·戈登赵伟

申请人：

纽约州立大学研究基金会

申请人地址：

美国纽约州奥尔巴尼市

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司

代理人：

李德魁

优先权：

CN201780015785.1

主分类号：

H01L31/08

IPC分类号：

H01L31/08 H01L31/107 H01L31/0392 H01L31/0224 H01L27/146

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2018-12-04 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 31/08
申请日 : 20170109

2018-11-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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