用于干燥晶片的装置及方法
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摘要
本发明涉及用于干燥晶片的装置及方法。对于使用多个晶片和有机溶剂的晶片干燥装置，所述晶片干燥装置包括：腔室，用于干燥多个晶片；第一出口，设置在腔室的一个表面中，用于排出有机溶剂；入口，设置在腔室中，用于引入超临界流体；第二出口，用于排出超临界流体；以及调速阀，用于调节通过第一出口排出的有机溶剂的速度。
基本信息
专利标题 ：
用于干燥晶片的装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109300802A
申请号 ：
CN201711128214.7
公开（公告）日 ：
2019-02-01
申请日 ：
2017-11-15
授权号 ：
CN109300802B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
尹炳文
申请人 ：
无尽电子有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市中伦律师事务所
代理人 ：
李波
优先权 ：
CN201711128214.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20171115
申请日 : 20171115
2019-02-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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