含氮材料选择性蚀刻方法
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摘要
一种含氮材料选择性蚀刻方法，供选择性自由基组成部分蚀刻暴露出的含氮材料。此方法包括将一基板设置于一蚀刻处理区域，在一等离子体区域产生一等离子体，将等离子体的含有自由基的组成部分流至蚀刻处理区域并实质上将等离子体的带电荷离子排除在蚀刻处理区域之外，使一未激发气体流入蚀刻处理区域，且以等离子体的含有自由基的组成部分及未激发气体的反应生成物蚀刻暴露出的含氮材料。
基本信息
专利标题 ：
含氮材料选择性蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108074807A
申请号 ：
CN201710501602.9
公开（公告）日 ：
2018-05-25
申请日 ：
2017-06-27
授权号 ：
CN108074807B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
邱意为吴孟娟翁子展
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯志云
优先权 ：
CN201710501602.9
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-11-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20170627
申请日 : 20170627
2018-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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