用于高纵横比特征的干燥工艺
授权
摘要
公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。
基本信息
专利标题 ：
用于高纵横比特征的干燥工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140546A
申请号 ：
CN201680057046.4
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-09-13
授权号 ：
CN108140546B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
罗曼·古科陈翰文史蒂文·韦尔韦贝克简·德尔马斯
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201680057046.4
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20160913
申请日 : 20160913
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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