集成电路组件层叠结构
专利权的终止
摘要
一种集成电路组件层叠结构,包含其周缘设有多数第一缺口的第一晶粒,该第一晶粒上设有第一传导区、及连接各第一缺口与第一传导区的第一布线区;以及层叠于第一晶粒一面上的第二晶粒,该第二晶粒的周缘设有与该第一传导区对应的第二缺口,该第一传导区与第二缺口间设有导通介质,并于该第二晶粒上设有第二传导区、及连接各第二缺口与第二传导区的第二布线区。藉此,可利用第一晶粒与第二晶粒的层叠配合,而将所需的系统整合于第一及第二晶粒上,除可增加集成电路组件布局的灵活性外,亦可达到易于制作以及特性稳定的功效。
基本信息
专利标题 :
集成电路组件层叠结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820301077.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-06-10
授权号 :
CN201243016Y
授权日 :
2009-05-20
发明人 :
马嵩荃梁裕民
申请人 :
讯忆科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾桃园县芦竹乡南山路三段17巷11号
代理机构 :
长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 :
何 为
优先权 :
CN200820301077.2
主分类号 :
H01L25/00
IPC分类号 :
H01L25/00 H01L25/065 H01L25/18 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2018-07-03 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 25/00
申请日 : 20080610
授权公告日 : 20090520
申请日 : 20080610
授权公告日 : 20090520
2009-05-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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