具有反射层的三结太阳电池
专利权的终止
摘要
本实用新型公开一种具有反射层的三结太阳电池，在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
具有反射层的三结太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820146082.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-10-27
授权号 ：
CN201311936Y
授权日 ：
2009-09-16
发明人 ：
张银桥蔡建九张双翔王向武
申请人 ：
厦门乾照光电股份有限公司
申请人地址 ：
361000福建省厦门市火炬高新区创业大厦108A
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
李 宁
优先权 ：
CN200820146082.0
主分类号 ：
H01L31/052
IPC分类号 ：
H01L31/052 H01L31/0232
法律状态
2018-11-20 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 31/052
申请日 : 20081027
授权公告日 : 20090916
申请日 : 20081027
授权公告日 : 20090916
2009-09-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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