窄线宽三维存储器
发明专利申请公布后的驳回
摘要
在集成电路技术中，晶体管的换代速度远慢于二极管，故二极管存储器的存储密度远大于晶体管存储器。相应地，本发明提出一种窄线宽三维存储器，它含有：一衬底，该衬底上有效晶体管栅极的特征尺寸为F；至少一叠置在该衬底上、并与该衬底耦合的二极管存储层，其地址选择线的特征尺寸为f；其中，f小于F。
基本信息
专利标题 ：
窄线宽三维存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101436432A
申请号 ：
CN200810183936.7
公开（公告）日 ：
2009-05-20
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张国飙
申请人 ：
张国飙
申请人地址 ：
610051四川省成都市建设路59号5A-001信箱
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200810183936.7
主分类号 ：
G11C17/10
IPC分类号 ：
G11C17/10 H01L27/112
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/08
应用半导体器件的，例如，双极性元件
G11C17/10
在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存储内容的，例如掩膜式可编程序的ROM
法律状态
2017-03-29 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101749218030
IPC(主分类) : G11C 17/10
专利申请号 : 2008101839367
申请公布日 : 20090520
号牌文件序号 : 101749218030
IPC(主分类) : G11C 17/10
专利申请号 : 2008101839367
申请公布日 : 20090520
2009-07-15 ：
实质审查的生效
2009-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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