本实用新型涉及一种带有缺陷地结构的强耦合器，包括腔体、盖板、大功率匹配负载、带状线耦合器板、连接器，所述的盖板设在腔体上部，所述的带状线耦合器板设在腔体内，所述的连接器设在腔体侧面，所述的带状线耦合器板包括上下两块，所述的大功率匹配负载设在带状线耦合器板下面一块，所述的带状线耦合器板上面一块上表面设有缺陷地结构，所述的腔体内壁底面设有一槽。与现有技术相比，本实用新型具有使耦合结构可以更为紧凑，并提高耦合器的方向性等优点。