球形脉冲激光溅射沉积装置
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及激光法制备各类薄膜的设备,具体地说是一种球形脉冲激光溅射沉积装置,球形真空室的圆周表面上设有样品口、靶口及激光口,第一、二激光口的轴线在球形真空室的上视基准面上,且第一激光口的轴线平行于Z轴,第二激光口的轴线平行于X轴,第一激光口距Z轴的距离与第二激光口距X轴的距离相等;样品口的轴线在球形真空室的上视基准面上,样品口位于第一、二激光口之间且样品口的轴线与两激光口轴线之间的夹角为30~60°;靶口与样品口相对设置,靶口的轴线位于经过样品口的轴线并垂直于上视基准面的平面上,且靶口的轴线平行位于样品口轴线的上方或下方。本实用新型膜层均匀性好,工作效率高,检测准确,有利于分析实验数据。

基本信息
专利标题 :
球形脉冲激光溅射沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720014645.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-09-21
授权号 :
CN201074246Y
授权日 :
2008-06-18
发明人 :
赵科新郭东民赵崇凌张冬王云琴李重茂徐宝利高树爱吕鑫淼赵长存刘传舜冯育强
申请人 :
中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请人地址 :
110168辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号
代理机构 :
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 :
许宗富
优先权 :
CN200720014645.6
主分类号 :
C23C14/34
IPC分类号 :
C23C14/34  C23C14/54  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2015-11-04 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101632291071
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2007200146456
申请日 : 20070921
授权公告日 : 20080618
终止日期 : 20140921
2012-04-18 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101332126878
IPC(主分类) : C23C 14/34
专利号 : ZL2007200146456
变更事项 : 专利权人
变更前 : 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
变更后 : 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 110168 辽宁省沈阳市浑南新区新源街一号
变更后 : 110197 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1号
2008-06-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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