高压功率集成电路用少子环隔离结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与P型衬底之间设有深N型阱且该深N型阱延伸至两块场氧化层的下方，上述重掺杂N阱与零电位相连接。本实用新型能够有效防止外延高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发，且本实用新型中深N型阱是高压结构中用到的深阱，对衬底注入载流子的吸附效果要比普通低压N型阱结构好。

基本信息

专利标题：

高压功率集成电路用少子环隔离结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620165093.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-15

授权号：

CN201017885Y

授权日：

2008-02-06

发明人：

易扬波孙伟锋李海松李杰徐申夏晓娟时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200620165093.4

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L27/04