半导体器件以及图像显示装置

专利权的终止

摘要

本发明提供一种半导体器件和图像显示装置。本发明的半导体器件在玻璃衬底(1)上形成有氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)。在该氧化硅膜(3)上形成有薄膜晶体管(T)，它包括源区(45)、漏区(46)、具有规定沟道长度的沟道区(40)、具有比沟道区(40)的杂质浓度高并比源区(45)和漏区(46)的杂质浓度低的杂质浓度的LDD区(44)和GOLD区(42)、栅绝缘膜(5)和栅电极(6a)。栅电极(6a)按照与沟道区(40)和GOLD区(42)在平面上交叠的方式而形成的。据此可以得到提高了源/漏耐压的半导体器件和图像显示装置。

基本信息

专利标题：

半导体器件以及图像显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1838433A

申请号：

CN200610068045.8

公开（公告）日：

2006-09-27

申请日：

2006-03-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

丰田吉彦中川直紀吉野太郎

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN200610068045.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/088